大功率系统需要并联 IGBT来处理高达数十千瓦甚至数百千瓦的负载，并联器件可以是分立封装器件，也可以是组装在模块中的裸芯片。这样做可以获得更高的额定电流、改善散热，有时也是为了系统冗余。部件之间的工艺变化以及布局变化，会影响并联器件的静态和动态电流分配。

Littelfuse推出新型1300V A5A沟槽分立式IGBT，专为800V电动汽车（BEV）应用而设计。这些IGBT具有优化的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）、强大的短路能力和更大的电流范围。特别适用于PTC加热器、放电电路和预充电系统等应用，这些应用的重点是更高的浪涌电流和低导通压降，而不是高开关频率。

在当前快速发展的消费电子市场中，IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为一种核心电子元器件，凭借其卓越的开关性能、低导通损耗和良好的热管理能力，成为现代家电技术的重要组成部分。

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种常用于电力电子领域的功率半导体器件，在变频器、电机驱动、电力变换等应用中有广泛的应用。由于IGBT在工作时会承受较高的电流和电压，短路保护对其工作安全至关重要。

大功率系统需要并联 IGBT来处理高达数十千瓦甚至数百千瓦的负载，并联器件可以是分立封装器件，也可以是组装在模块中的裸芯片。这样做可以获得更高的额定电流、改善散热，有时也是为了系统冗余。部件之间的工艺变化以及布局变化，会影响并联器件的静态和动态电流分配。系统设计工程师需要了解这些，才能设计出可靠的系统。

制造商和消费者都在试图摆脱对化石燃料能源的依赖，电气化方案也因此广受青睐。这对于保护环境、限制污染以及减缓破坏性的全球变暖趋势具有重要意义。电动汽车 (EV) 在全球日益普及，众多企业纷纷入场，试图将商用和农业车辆 (CAV) 改造成由电力驱动。

功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

制造商和消费者都在试图摆脱对化石燃料能源的依赖，电气化方案也因此广受青睐。这对于保护环境、限制污染以及减缓破坏性的全球变暖趋势具有重要意义。电动汽车(EV)在全球日益普及，众多企业纷纷入场，试图将商用和农业车辆(CAV)改造成由电力驱动。

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

三菱电机从事SiC器件开发和应用研究已有近30年的历史，从基础研究、应用研究到批量商业化，从2英寸、4英寸晶圆到6英寸晶圆，三菱电机一直致力于开发和应用高性能、高可靠性且高性价比的SiC器件，本篇章带你了解三菱电机SiC器件发展史。

三菱电机从事功率半导体开发和生产已有六十多年的历史，从早期的二极管、晶闸管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱电机一直致力于功率半导体芯片技术和封装技术的研究探索，本篇章带你了解三菱电机功率器件发展史。

全新CIPOS Mini IM523智能功率模块系列是适用于变速电机驱动应用的优化解决方案。它采用成熟的紧凑型双列直插式传递模封装，可实现更高能效。得益于RC-D2开关的特性以及其SOI栅极驱动器的高级功能，这些产品可以为IPM解决方案提供性能与结实耐用性兼顾的完美结合。

在汽车、工业和逆变器应用中，对在更高输出功率水平下提高效率的需求日益增长。而在电动汽车 (EV) 领域，通过提高电机驱动效率和加快电池充电速度，此类优化对于扩展性能和延长续航里程至关重要。对于工业而言，提高效率是减少全球能源消耗和增强可持续性的必需条，因此当前重点是直流微电网技术的效率效益。

IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance）对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响，本文为第二部分，将主要讨论栅极环路电感影响分析。

在电力电子的很多应用，如电机驱动，有时会出现短路的工况。这就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的时间内承受住短路电流而不损坏。

在当今的半导体市场，公司成功的两个重要因素是产品质量和可靠性。而这两者是相互关联的，可靠性体现为在产品预期寿命内的长期质量表现。任何制造商要想维续经营，必须确保产品达到或超过基本的质量标准和可靠性标准。安森美(onsemi)作为一家半导体供应商，为高要求的应用提供能在恶劣环境下运行的产品，且这些产品达到了高品质和高可靠性。

对于半导体功率器件来说，门极电压的取值对器件特性影响很大。以前曾经聊过门极负压对器件开关特性的影响，而今天我们来一起看看门极正电压对器件的影响。文章将会从导通损耗，开关损耗和短路性能来分别讨论。

IGBT结合了MOSFET和双极型晶体管的优点，具有低压控制特性（MOSFET）和高电流驱动能力（双极型晶体管）。它具有较低的开关损耗和较高的开关速度，适用于高频应用。同时，由于使用绝缘栅极层隔离了栅极和其他部分，提高了绝缘性能和可靠性。