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场效应管缓冲区偏差计算器

场效应管缓冲区偏差计算器

一款JFET缓冲区(共漏放大器)是很有用的,因为与晶体管相比它具有非常高的输入阻抗。

N-Channel JFET Buffer

N沟道场效应管缓冲区偏差
 
VDD (V)
Desired VRS (V)
Vp or VGS(off) (Pinch off Voltage, negative)截止电压 (V)
IDSS (Zero Gate Voltage Drain Current)  零栅电压漏极电流 (mA)
结果:

IDS (mA)
RS (Ω)
VGS (V) 

Equations:

 IDS= IDSS(1-VGS/Vp)2

 RS= VRS/IDS

VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压,用VGS (off)示。n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID =0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。


  • 多物理场数值仿真助力锂离子电池研发 本次活动将介绍如何通过基于电化学原理的多物理场数值仿真,对锂离子电池的性能,热管理,滥用,应力变形等方面进行数值分析和预测。 使用 COMSOL 软件不仅能够对电池充/放电曲线、SOC 曲线、不同放电倍率下的电池容量、内阻、极化、电池老化等性能问题进行分析, 还能够分析热管理、流动管理等与产品安全性相关的问题,优化锂离子电池的设计和使用方案。 COMSOL     2018年06月26日     注册 预先提问