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宏微科技推出分别针对汽车800V平台和增程式混动的两款IGBT模块2024-04-22

宏微科技本次推出适合汽车800V平台电驱控制器的产品 MMG600V120X6RS，以及针对1.5L增程器70KW GCU的产品 MMG280VD075X6T7，采用宏微GV与GVD封装，均拥有更低的通态损耗，在客户应用工况下有着极高的效率。

意法半导体公布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管以提高效率和功率密度2024-04-02

随着低开关损耗的宽禁带半导体等技术的广泛应用，设计人员开始提高功率转换器的工作频率，不断刷新功率密度。不过，当开关频率变得更高时，用作整流器的传统平面二极管(包括硅肖特基器件)的能量损耗也会随之变大，严重限制了转换能效的改进。

Diodes推出业界首款同级产品中极小DSN1406 2A 封装的肖特基整流器2024-03-25

Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 发布 SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) 肖特基整流器，在同级产品中实现了业界极高的电流密度，以低正向压降和热阻的特性，为体积更小且更有效率的便携式、移动和可穿戴设备克服了设计难题。

Diodes 公司推出业界首款同级产品中极小DSN1406 2A 封装的肖特基整流器2024-03-21

Diodes 公司 发布 SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) 肖特基整流器，在同级产品中实现了业界极高的电流密度，以低正向压降和热阻的特性，为体积更小且更有效率的便携式、移动和可穿戴设备克服了设计难题。此系列创新的高电流沟槽肖特基整流器采用仅占 0.84mm² 电路板空间的芯片级封装 (CSP)，适用于各种用途，可作为阻流或反极性保护二极管、升压二极管和开关二极管使用。

Vishay推出采用改良设计的INT－A－PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗2024-02-29

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。

Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3－HP汽车平面肖特基二极管2024-02-26

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布，现可提供采用CFP3-HP封装的22种新型平面肖特基二极管产品组合。该产品组合包括11种工业产品以及11种符合AEC-Q101标准的产品。本次产品发布是为了支持制造商以更小尺寸的CFP封装器件取代SMx型封装器件的发展趋势，特别是在汽车应用中。

Qorvo 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能2024-01-30

Qorvo今日宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新引脚兼容 SiC FET 系列的首款产品，导通电阻值最高可达 60mΩ，非常适合车载充电器、DC/DC 转换器和正温度系数（PTC）加热器模块等电动汽车（EV）类应用。

ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”2024-01-23

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路，推出trr*1超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。

Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET2023-12-11

Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识，如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia对此感到非常自豪。

Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件2023-11-07

Transphorm, Inc.近日宣布，推出三款TOLL封装的 SuperGaN® FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，这意味着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备Transphorm经验证的高压动态(开关)导通电阻可靠性——而市场上主流的代工e-mode氮化镓则缺乏这样的可靠性。