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Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率2023-07-05

Nexperia今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮。Nexperia在其庞大的产品组合中增加了IGBT，满足了市场对于高效高压开关器件不断增长的需求以及在性能和成本方面的要求。

Vishay推出首款采用Power DFN系列DFN3820A封装的200 V FRED Pt Ultrafast整流器2023-06-21

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款新系列200 V FRED Pt® 超快恢复整流器---1 A VS-1EAH02xM3、2 A VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3和5 A VS-5EAH02xM3，这些器件采用薄型易于吸附焊锡的侧边焊盘DFN3820A封装。这四款新器件为商业、工业和车载应用提供节省空间的高效解决方案，每种产品都有Vishay汽车级AEC-Q101认证版本。

芯能发布DIPS26－DBC系列智能功率模块2023-06-15

DIPS26智能功率模块采用芯能新一代自研驱动IC和IGBT芯片，优化内部布局与引脚分布，是包括空调压缩机、变频洗衣机、变频烟机和工业驱动器等先进家电/工业电机驱动应用的理想选择。

意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管，优值系数提高 40%2023-05-24

意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。

Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性2023-05-23

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，正向压降、电容电荷和反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。

纳微半导体发布新一代650V MPS SiC碳化硅二极管2023-05-12

纳微半导体宣布推出第五代高速GeneSiC碳化硅(SiC)功率二极管，可有效满足数据中心、工业电机驱动、太阳能和消费电子等要求严格的应用需求。

Nexperia推出支持低压和高压应用的E－mode GAN FET2023-05-10

Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件，从GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。

Transphorm推出六款可与e－mode设备实现引脚对引脚兼容的SuperGaN FET产品2023-05-05

Transphorm, Inc.是一家提供高可靠性、高性能氮化镓（GaN）功率转换产品的领军企业和全球供应商。公司宣布推出六款表面贴装器件（SMD），采用行业标准PQFN 5x6和8x8封装。这些SMD提供Transphorm专利SuperGaN® d-mode双开关常闭式平台所带来的可靠性和性能优势，并采用为竞品e-mode GaN器件常用的封装配置。

Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管2023-04-20

Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器，并提高持续运行性能。

安森美开发IGBT FS7开关平台，性能领先，应用工业市场2023-03-22

安森美推出一系列全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具备业界领先的性能水平，最大程度降低导通损耗和开关损耗。这些新器件旨在提高快速开关应用能效，将主要用于能源基础设施应用，如太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、储能和电动汽车充电电源转换。