MB85RC16
说明
该MB85RC16采用FRAM(铁电随机存取存储器)芯片中的2048字×8位结构,利用强电介质的过程和硅栅的CMOS工艺技术形成非易失性存储器单元。
与SRAM不同,所述MB85RC16能够保持数据,而无需使用一个数据备份电池。
在MB85RC16中使用的存储器单元具有每字节至少1012的读/写操作的耐力,这是一个显著改进的读取和写入操作的数目所支持的其他非易失性内存产品。
该MB85RC16可以在一个字节单元提供写作因为不需要不像长写入时间闪存和E2PROM。
因此,像写忙状态的写入完成等待序列不是必需的。
位配置:2048字×8位
两线串行接口:通过两个端口完全可控:串行时钟(SCL)和串行数据(SDA)。
工作频率:1兆赫(最大)
读/写耐久性:1012次/字节
数据保存:10年(+ 85°C),95年(+ 55°C),200年(+ 35°C)
工作电源电压:2.7 V至3.6 V
低功耗:工作电源电流70μA(典型值@ 1兆赫)
待机电流0.1μA(典型值)
工作环境温度范围: - 40°C至+ 85°C
封装:8引脚塑料SOP(FPT-8P-M02)
8引脚塑料SON(LCC-8P-M04)
符合RoHS标准