MB85R4001A
记述
该MB85R4001A是的FRAM(铁电随机存取存储器)芯片构成的524,288字×8位的非易失性存储单元制造的,使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术。
该MB85R4001A能够保持数据,而无需使用后备电池,适用于SRAM。
在MB85R4001A中使用的存储单元可用于1010读/写操作,这是一个显著改进的由闪存和E2PROM支持读取和写入操作的数目。
所述MB85R4001A使用类SRAM接口。
位配置:524,288字×8位
读/写耐久性:1010次/字节
数据保存:10年(+ 55°C),55年(+ 35°C)
工作电源电压:3.0 V至3.6 V
低功耗工作:工作电源15 mA电流(典型值)
待机电流为50μA(典型值)
工作环境温度范围: - 40°C至+ 85°C
封装:48引脚塑料TSOP(FPT-48P-M48)
符合RoHS标准