FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取的两个特长的铁电随机存储器(内存)。
FRAM的数据保持，不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速读写、高读写耐久性和低功耗性能。
富士通半导体，在日本实施从芯片研发到批量生产的统一管理，从而保证了产品的稳定供货和让客户安心的高质量。FRAM领先于其他下一代存储器，由富士通于1999年开始批量生产。作为世界为数不多的FRAM产品领先供应商，富士通拥有丰富的FRAM量产经验，是要求高可靠性存储器用户的最佳选择。
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