使用IR新一代绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 技术平台，第八代 (Gen8) 1200V IGBT 配备新一代沟道栅极场截止技术，为工业及节能应用提供卓越性能。全新的 Gen8 设计可让高性能 Vce(on) 降低功耗及增加功率密度，并可提供超卓的耐用性。

新技术针对电机驱动应用提供更好的软关断功能，有助于把 dv/dt 降到最低，从而减少电磁干扰、抑制过压，从而提升可靠性与耐用性。这个平台的参数分布较窄，在高电流功率模块内并联起多个 IGBT 之时，可提供出色的电流分配。薄晶圆技术则改善了热电阻和达到 175°C 的最高结温。

性能指标

正向压降

工业电机驱动应用的要求之一便是在IGBT导通过程中实现最低的压降

图1 在终端测量的1200V/100A，34mm半桥功率模块的V_CE(ON)比较。

上图显示了采用IR Gen 8 IGBT模的34mm 1200V/100A半桥功率模块与市场上两个主要IGBT竞争产品在V_CE(ON)方面的比较。在150 ^oC 下，Gen 8 IGBT的V_CE(ON)低于竞争产品A，而占位面积则比竞争产品B更小。

开关特性

对于IGBT的另外一个要求是在关断时具有很低的过冲电压，从而将传导和辐射EMI降至最低，同时防止IGBT出现过压故障。

为了将系统寄生电感所带来的过冲电压最小化，IGBT必须在关断事件中具有低di/dt。图2显示了在I_CE = 100A时的关断特性，此时测量的总线电压V_CE(ON) = 600V，T_j = 150 ^oC，外部R_g = 0。从这些波形因数中，可以看出在几个被测试的IGBT中，Gen 8 IGB具有最低的过冲电压。Gen 8 IGBT的过冲电压不到750V。   

IR Gen 8 

           竞争产品A                                竞争产品 B

图2. 在V_CE = 600V, I_CE = 100A, T_j = 150 ^oC条件下，Gen 8 IGBT、竞争产品A和竞争产品B的关断特性比较

同样我们还测量了模块的关断特性。关断性能取决于IGBT提供所需di/dt反并联二极管的恢复能力。IGBT的关断损耗是IGBT损耗和反并联二极管反向恢复损耗的总和。

                IR Gen 8                    竞争产品A                   竞争产品 B

图3. 在V_CE = 600V, I_CE = 100A, T_j = 150 ^oC条件下，Gen 8 IGBT、竞争产品A和竞争产品B的打开特性比较

图3显示了IGBTs在I_CE = 100A时的开通特性。Gen 8 IGBT能够提供比竞争产品IGBT更高的di/dt，并且可以更快的使反并联二极管恢复，从而实现了更低的导通功耗。具有高di/dt容量和大的峰值电流，使得Gen 8 IGBT的导通损耗随集电极电流线性增长。这正是我们所需要的特性，因为器件过载条件运行时，轻松管理损耗。